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2N3055A中文资料

2N3055A图片

2N3055A外观图

  • 大小:140.95KB
  • 厂家:SAVANTIC [Savantic, Inc.]
  • 描述:Silicon NPN Power Transistors
  • 制造商:ON Semiconductor
  • 产品种类:Transistors Bipolar (BJT)
  • 晶体管极性:NPN
  • 集电极—发射极最大电压 VCEO:60 V
  • 发射极 - 基极电压 VEBO:7 V
  • 最大直流电集电极电流:15 A
  • 直流集电极/Base Gain hfe Min:10
  • 配置:Single
  • 最大工作频率:6 MHz
  • 最大工作温度:+ 150 C
  • 安装风格:Through Hole
  • 封装 / 箱体:TO-204-2 (TO-3)
  • 封装:Tray
  • 集电极连续电流:15 A
  • 最小工作温度:- 65 C
  • 功率耗散:115 W
  • 工厂包装数量:100

2N3055A供应商

更新时间:2023-01-28 15:41:15
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